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民生證券:日美電子貿易摩擦啟示錄(附下載)

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日本電子制造業部分細分行業的衰落受貿易摩擦影響有限,更多是因為日本企 業錯失科技創新的浪潮以及不注重行業內水平分工。日美電子貿易摩擦從 1984 年持續 到 1991 年,措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關稅再到“最低價格協定”以及“最低市場份額協定”。貿易摩擦后日本電子行業出現兩層分化,首先是低端組裝業務開始海外遷移,只有集成電路和元器件在全球競爭力持續強勢,另一層分化是集成電路行業內只 有設備與材料一騎絕塵,DRAM 等產品從全球霸主地位不斷衰落。當前日本電子行業牢 牢把控著產業鏈的上游設備與材料環節,但是在中游制造以及下游組裝環節節節敗退,產業呈現空心化的格局。市場普遍認為其主要是受當年日美貿易摩擦的影響,我們認為日本本土電子制造業的中游制造以及下游組裝的衰落一方面是因為日企主動向海外轉移產能,另一方面日企注重垂直一體化的特點注定了其海外轉移的程定滿足不了全球經濟一體化背景下追逐最低生產成本的需求。此外,日本電子制造業 的高端領域 DRAM 產品的失敗也不能完全與貿易摩擦掛鉤,盡管美國在貿易摩擦期 間針對日本 DRAM 產品多次發難,但是在 1991 年日美半導體貿易摩擦結束時日本 DRAM 仍然保有全球市場 60%左右的份額(最高時 80%),我們認為日本的失敗一方 面受貿易摩擦的影響,但主要是因為日本 DRAM 企業專注于大型機用的 DRAM 產 品,而從 1990 年開始個人 PC 開始興起,個人 PC 需要的 DRAM 與大型機的 DRAM 相差甚大,日企對個人 PC 的忽視,使得韓國 DRAM 廠商趁勢崛起,并且敢于逆勢 大幅度擴產,韓國DRAM廠商憑借低成本優勢拿下了個人PC用DRAM第一把交椅。

樂觀看待中美兩國在電子制造業領域存在的差距。當前中美兩國在電子制造業領域差距已經在不斷縮小,目前在半導體領域,我們所需的設備與材料基本都依賴 進口,而當年日本 1976 年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似,但是經 過多年的發展,1985 年貿易摩擦前的日本半導體企業已經基本實現了核心設備的自 制,甚至在部分核心產品上領先于美國同行量產上市。可以看出,同樣在面對美國開打貿易摩擦時日美電子制造業的差距是小于中美之間的差距,值得欣慰的是,中國目前已經出現一批優質半導體公司,如中微公司瀾起科技匯頂科技等。此外,日本半導體的舉國體制之路給我們發展半導體制造提供了可復制的案例,我們應該 加大舉國體制的力度,力爭用最短的時間實現核心設備與材料的突破。

舉國體制是發展高精尖制造業實現突圍的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制 法革新”項目下的“VLSI 技術研究所”共耗資 720 億日元,其中政府出資 320 日元, 企業界籌集 400 億日元,最后日本得以先于美國研發 64k 集成電路、256k 動態儲存 器,完成對美國技術的趕超,奠定了日本在 DRAM 市場的霸主地位。包括韓國在 內也采用舉國體制發展半導體,1983 年韓國公布“半導體工業振興計劃”,韓國政府 共投入了 3.46 億美元的貸款,并激發了 20 億美元的私人投資,促進了韓國半導體產 業的發展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃,且已經開啟了第二期的投資,日本和韓國的例子證明舉國體制是發展高精尖制造業的有效方式,中國的半導體大 基金計劃對半導體的發展有實實在在的推動作用。

中國當前電子制造業主要是內需拉動,與日本高貿易依存度的需求結構相比有著更強的抵御貿易摩擦的能力。日本電子制造業對外貿易依存度遠高于中國,日本 電子行業對外貿易依存度自 1950 年來一直呈上升態勢,而中國的情況恰恰相反。1985 年貿易摩擦前日本電子制造業對外貿易依存度達到 56%,而當前中國電子制造業對 外貿易依存度僅為39.32%,08年金融危機之后中國電子制造業的出口比重一路下滑, 造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升,其中生產總額從 08 年來增幅 接近 300%,而出口總額增幅只有 40%,說明中國內需增長旺盛,內需消化的產值遠 高于出口。1985 年之前日本之所以出現貿易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠 高于總產值增幅,1985 年的出口金額和總產值分別是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本維持零增長態勢,但是生產總值在 2000 年達到頂峰后一路下滑, 導致貿易依存度被動性提高。

科創板開閘+大基金二期上馬,中國版新型舉國體制助力國產半導體,預計存儲 產業有望率先突圍。科創板推動優質半導體企業快速上市,大基金二期大手筆投資,大國重器加速突圍。優質半導體企業如中微公司、瀾起科技、滬硅產業通過在科創板快速上市募集資金,加速對各環節國際龍頭企業的追趕。中芯國際也擬于科創板 上市及交易,中芯國際作為國內實力最強的晶圓制造廠,14nm 已開始量產,與臺積 電、三星等國際巨頭差距正逐步縮小,科創板上市有利于公司募資資金加速先進制 程的研發。

半導體行業自主可控是國家意志的體現,受到國家政策的持續加碼支持。大基 金二期大手筆加持,大基金二期注冊資本 2041.5 億元,按照撬動比例 1:3 計算,所 撬動的社會資金規模可達 6000 億元以上。與大基金一期總投資 1387 億、撬動 5145 億地方及社會資金相比,二期在資金規模上遠超一期。

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